华为哈勃投资天域半导体：发力第三代半导体材料碳化硅
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除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后者注册资本也从9027万元增加到9770万元，增幅8%。
据悉，东莞市天域半导体成立于2009年，位于松山湖高新技术产业园区，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。
2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”，目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生产技术达到国际先进水平。
至于深圳哈勃科技，华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%，今年4月刚刚成立。
所谓第三代半导体，主要是二十一世纪以来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料，即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗元素（Ge），第二代主要是化合物半导体材料。
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