SK 海力士发布全球首款 321 层 NAND 样品 助力生成式人工智能发展

8月9日消息:SK 海力士今天发布了行业中层数最高的 NAND 技术，采用 321 层设计，可达到 1 Tb TLC 封装。

图片来自 skhynix

该公司在 8 月 8 日至 10 日于圣克拉拉举办的 Flash Memory Summit (FMS) 2023 上介绍了其 321 层 1Tb TLC 4D NAND Flash 的开发进展。

SK 海力士是首家详细公布超过 300 层 NAND 开发进展的公司。该公司计划提高 321 层产品的完成度，并于 2025 年上半年开始大规模生产。

该公司表示，已经量产世界上最高 238 层 NAND 并取得成功后积累起来的技术竞争力为 321 层产品的开发顺利进行铺平道路。「通过突破堆叠限制，SK 海力士将引领拥有超过 300 个堆叠层数的 NAND 时代并主导市场。」

与之前一代 238 层 512Gb 相比，321 层 1Tb TLC NAND 在生产效率方面提高了 59%，这要归功于能够在单个芯片上堆叠更多单元和更大存储容量的技术发展，意味着可以在单个晶圆上生产出更多容量。

自 ChatGPT 推出以来，促进了生成式人工智能市场的增长，对于能够以更快速度处理更多数据的高性能、高容量存储产品的需求正在迅速增长。

因此，在 FMS 上，SK 海力士还介绍了针对这种人工智能需求优化的下一代 NAND 解决方案，包括采用 PCIe Gen5 接口和 UFS 4.0 的企业级 SSD。该公司预计这些产品将实现行业领先的性能，充分满足高性能需求的客户。

SK 海力士还宣布已经开始开发下一代 PCIe Gen6 和 UFS 5.0，并表示致力于引领行业趋势。

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