南大光电ArF光刻胶已拿到小批量订单(曾称可用于14/7nm工艺)

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7月2日消息,国内半导体材料厂商南大光电在互动平台上表示,公司旗下的ArF光刻胶产品拿到小批量订单,不过他们没有透露具体的客户名单。

今年5月份,南大光电发表公告,控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

在光刻工艺中,光刻胶被均匀涂布在衬底上,经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺,将掩膜版上的图形转移到衬底上,形成与掩膜版完全对应的几何图形。

半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶,其中,g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。

此前南大光电曾在公告中表示,ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广,可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等)。

发布于 2021-07-02 22:48:20
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