正规的mos管的导通条件(n型沟道mos管导通条件)
n型沟道mos管导通条件？
n沟道mos晶体管的导通条件
开启时序可分为to ~ t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，有不同的等效电路。
1) t0-t1: cgs1开始充电，栅极电压尚未达到VGS(th)，导电沟道尚未形成，MOSFET仍处于截止状态。
2)在区间[t1-t2]内，GS之间的电压达到Vgs(th)，DS之间的导电通道开始形成，MOSFET导通，DS的电流增加到ID，Cgs2快速充电，Vgs从Vgs(th)到VA呈指数增加..
3)在[T2-T3]期间，MOSFET的DS电压下降到与Vgs相同，产生密勒效应，Cgd电容大大增加，栅极电流继续流动。由于Cgd电容的急剧增加，栅极电压对Cgs的充电被抑制，这使得Vgs几乎水平，Cgd电容上的电压增加，而DS电容上的电压继续降低。
4)【t3-t4】区间，直到T3，MOSFET的DS电压下降到饱和导通时的电压，密勒效应的影响变小，Cgd电容变小，与Cgs电容一起被外部驱动电压充电，Cgs电容电压上升直到T4。此时Cgs电容的电压已经达到稳态，DS之间的电压达到最小值，MOSF
mos管实际使用电流？
MOS管MOS耐压/MOS内阻的最大持续电流。
额定电流应该是负载在所有条件下所能承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生峰值电流，也要确保所选MOS晶体管能够承受这个额定电流。考虑的两种电流条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
mos完全导通电压？
大约在0.306伏和0.23伏之间
一般mos管的饱和电压是10v，有的是3-5v。同一个mos管通过不同的电流，其栅极电压是不同的。mos管的极间电容比较大。为了使mos管开关速度快，降低功耗，需要对栅极进行快速充放电，驱动电路就是为此而使用的。双极晶体管的极间电容不大，不需要类似的驱动电路。
MOS管的参数并不直接给出管压降，而是给出导通电阻Rds(on)。SI2301在Dd3.6A时的导通电阻为85mΩ，在Id2A时的导通电阻为115mΩ，因此可以计算出其在3.6A和2A时的管压降分别为0.306V和0.23V。